檢索結果:共5筆資料 檢索策略: "銦".ckeyword (精準) and year="97"
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV (GaN)調變至0.7eV (InN),其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜,所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
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本論文之主要研究為以自組裝單分子層薄膜,修飾有機太陽能電池元件氧化銦錫電極表面;藉由不同官能基之自組裝單分子層薄膜分子成長於氧化銦錫基板上,可改變其表面潤濕性、表面功函數等性質,藉以了解其對元件光電…
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近年來氮化鎵材料已成為製作藍光發光二極體的主流且快速的發展。另一方面,自從氮化銦能隙更正後,發現以能隙為紫外光波長的氮化鎵(3.4eV)與紅外光波長的氮化銦(0.7eV)組成的氮化銦鎵,能組合成幾乎…
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氧化銦鍚(indium tin oxide, ITO)在可見光範圍具有量好的導電性及透光性,因此在光學元件上常利用ITO來增加載子的傳導與收集。以單晶矽太陽能電池為例,除了可以做為透明導電層之外,還…
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本論文之研究方向主要分為四元CuIn1-xGaxSe2奈米材料之合成及電泳沉積製備CuIn1-xGaxSe2薄膜之兩個部分進行。首先,於材料合成之研究中,吾人成功建立以微波水熱法合成四元CuIn1-…